Товары по каталогам

Название:   IXFN360N15T2
Производитель:   Ixys
Документация:   скачать
RoHS:   да
Описание:   Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

Заказать



Характеристики:
ПродуктMOSFET Gate Drivers
ТипGigaMOS Trench T2 HiperFet
Время нарастания170 ns
Время спада265 ns
Ток питания100 A
Максимальное рассеяние мощности1070 W
Вид монтажаSMD/SMT
КорпусSOT-227B
УпаковкаTube
Максимальное время задержки выключения115 ns
Максимальное время задержки включения50 ns
Выходной ток310 A
Выходное напряжение150 V
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Количество драйверовSingle
Количество выходов1
Коммерческое обозначениеTrenchT2 GigaMOS

Обратная связь
Оформление заявки