Товары по каталогам
Заказать |
Характеристики:
| Тип | Advanced Gate Driver for IGBT and Power Mosfet |
| Время нарастания | 100 ns |
| Время спада | 100 ns |
| Напряжение питания - мин. | 12 V |
| Ток питания | 2.5 mA |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Корпус | SO-8 |
| Упаковка | Reel |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Количество драйверов | 1 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Конфигурация | Inverting |
| Количество выходов | 1 |